采用内外双腔结构设计，优化的辐射加热系统，温度均匀性高；气流优化设计结合前驱体瓶加热，管路加热，不仅可以实现平板基体上膜厚的均匀性沉积，也适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现微纳深孔内部的均匀沉积。可用于半导体器，MEMS器件先进电池材料，催化材料研究。
真空镀膜解决方案
原子层沉积系统
产品概述
产品特点
PRODUCTFEATURE
产品集成度高，自动化控制
可集成等离子体模块、粉末沉积模块及臭氧发生器，满足多种工艺条件
可沉积多种氧化物，氮化物，金属薄膜等
应用案例
PRODUCTSCENARIO
Al₂O₃薄膜在硅片上均匀沉积
ALD沉积均匀性测试
ALD高长径比均匀沉积测试
不同材料沉积覆盖性测试结果
ALD制备锂离子导体层Li₃PO₄
产品规格
PRODUCTPARAMETER
| 腔室真空 | ≤5Pa |
| 抽速 | 9L/s |
| 臭氧发生器 | 臭氧浓度<180g O³/Nm³,流量0～180NL/h，配置独立质量流量计MFC |
| 等离子体 | 即时启辉，具有射频自动匹配功能（选装） |
| 控温精度 | ±0.1℃ |
| 衬底温度 | 室温～500℃ |
| 管路加热温度 | 室温～175℃ |
| 前驱体瓶加热温度 | 室温～175℃ |
| 沉积模式 | 快速模式、高纵深比模式 |
| Al₂O₃沉积速率 | 0.12nm/cy |
| 镀膜均匀性 | 均匀性优于±1% |
| 产品型号 | MINI-ALD8 |
| 结构设计 | 台式 |
| 腔室真空 | ≤ 5 Pa |
| 真空系统 | 抽速9L/S,从大气抽至5Pa≤25分钟 |
| 腔室 | 真空水冷腔室，不锈钢材质，长476mm，宽500mm，高390mm，真空室上开门 |
| 反应腔 | 独立反应腔 |
| 样品尺寸 | ≤Φ8英寸，厚度≤20mm的基体（不适用进样室系统） |
| 抽速 | 14L/s |
| 衬底尺寸 | ≥8英寸晶圆 |
| 臭氧发生器（选配） | 臭氧浓度<180g O₃/Nm³,流量0~180NL/h,配置独立质量流量计MFC |
| 等离子体（选配） | 即时启辉，具有射频自动匹配功能 |
| 衬底温度 | 室温～500℃，控制精度：±1℃ |
| 外腔体烘烤温度 | 室温～150℃，控制精度：±1℃ |
| 管路加热温度 | 室温～250℃ |
| 前驱体加热温度 | 室温～250℃ |
| 前驱体输送系统 | 4路独立管线 |
| 镀膜厚度均匀性 | 优于±1% |
| 尾气处理系统（选配） | 可选颗粒捕捉器/滤芯吸附型捕捉器 |
| 源瓶 | 可接入4路100mL 、可选配液源、固源和气源 |
| 高真空气动挡板阀 | 自动切换腔室预抽真空与放气 |
| 控制系统 | PLC控制 |
| 控制软件 | 图形化界面、全自动操控，工艺参数(前驱体源温度、管路温度、腔体温度、载气流量，脉冲时间等)自动保存和调用，操作程序互锁，防止误操作 |
| 安全机制 | 软件包含多重安全措施，出现异常将自动关闭ALD 阀门，防止前驱体泄漏 |
| 产品型号 | MINI-ALD4 |
| 腔室真空 | ≤ 5 Pa |
| 结构设计 | 桌面式 |
| 真空系统 | 抽速9L/s,从大气抽至5Pa≤25分钟 |
| 腔室 | 铝合金材质，真空室前开门 |
| 反应腔 | 铝合金材质，独立反应腔 |
| 样品尺寸 | ≤Φ4英寸，厚度≤5mm的基体 |
| 抽速 | 9L/s |
| 衬底尺寸 | ≥4英寸晶圆 |
| 臭氧发生器（选配） | 臭氧浓度<180g O₃/Nm³,流量0~180NL/h,配置独立质量流量计MFC |
| 等离子体（选配） | 即时启辉，具有射频自动匹配功能 |
| 衬底温度 | 室温～300℃，控温精度：±1℃ |
| 管路加热温度 | 室温～175℃ |
| 前驱体加热温度 | 室温～175℃ |
| 前驱体输送系统 | 4路独立管线 |
| Al₂O₃沉积速率 | 0.26nm/cy |
| 镀膜厚度均匀性 | 优于±2% |