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真空镀膜解决方案

原子层沉积系统


产品概述

采用内外双腔结构设计,优化的辐射加热系统,温度均匀性高;气流优化设计结合前驱体瓶加热,管路加热,不仅可以实现平板基体上膜厚的均匀性沉积,也适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现微纳深孔内部的均匀沉积。可用于半导体器,MEMS器件先进电池材料,催化材料研究。

产品特点
PRODUCTFEATURE
  1. 产品集成度高,自动化控制

  2. 可集成等离子体模块、粉末沉积模块及臭氧发生器,满足多种工艺条件

  3. 可沉积多种氧化物,氮化物,金属薄膜等

应用案例
PRODUCTSCENARIO
  1. Al₂O₃薄膜在硅片上均匀沉积

  2. ALD沉积均匀性测试

  3. ALD高长径比均匀沉积测试

  4. 不同材料沉积覆盖性测试结果

  5. ALD制备锂离子导体层Li₃PO₄

产品规格
PRODUCTPARAMETER
腔室真空≤5Pa
抽速9L/s
臭氧发生器臭氧浓度<180g O³/Nm³,流量0~180NL/h,配置独立质量流量计MFC
等离子体即时启辉,具有射频自动匹配功能(选装)
控温精度±0.1℃
衬底温度室温~500℃
管路加热温度室温~175℃
前驱体瓶加热温度室温~175℃
沉积模式快速模式、高纵深比模式
Al₂O₃沉积速率0.12nm/cy
镀膜均匀性均匀性优于±1%