采用内外双腔结构设计,优化的辐射加热系统,温度均匀性高;气流优化设计结合前驱体瓶加热,管路加热,不仅可以实现平板基体上膜厚的均匀性沉积,也适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现微纳深孔内部的均匀沉积。可用于半导体器,MEMS器件先进电池材料,催化材料研究。
真空镀膜解决方案
原子层沉积系统
产品概述
产品特点
PRODUCTFEATURE
产品集成度高,自动化控制
可集成等离子体模块、粉末沉积模块及臭氧发生器,满足多种工艺条件
可沉积多种氧化物,氮化物,金属薄膜等
应用案例
PRODUCTSCENARIO
Al₂O₃薄膜在硅片上均匀沉积
ALD沉积均匀性测试
ALD高长径比均匀沉积测试
不同材料沉积覆盖性测试结果
ALD制备锂离子导体层Li₃PO₄
产品规格
PRODUCTPARAMETER
腔室真空 | ≤5Pa |
抽速 | 9L/s |
臭氧发生器 | 臭氧浓度<180g O³/Nm³,流量0~180NL/h,配置独立质量流量计MFC |
等离子体 | 即时启辉,具有射频自动匹配功能(选装) |
控温精度 | ±0.1℃ |
衬底温度 | 室温~500℃ |
管路加热温度 | 室温~175℃ |
前驱体瓶加热温度 | 室温~175℃ |
沉积模式 | 快速模式、高纵深比模式 |
Al₂O₃沉积速率 | 0.12nm/cy |
镀膜均匀性 | 均匀性优于±1% |