原子层沉积系统ALD

MINI-TALD8 ALD


全自动进样设计,可容纳8英寸基片。优化的辐射加热系统,使温度均匀性高达99%,气流优化设计结合前驱体瓶加热,管路加热,不仅实现在8英寸基体上膜厚的不均匀性<±1%,而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现微纳深孔内部的均匀沉积,是先进电池材料、催化剂材料、半导体器件研究与应用的最佳仪器。

原子层沉积系统ALD

技术参数

  • 腔室真空度:≤ 5 Pa
  • 真空系统:抽速14L/S,从大气抽至5Pa,≤15分钟
  • 衬底尺寸:8英寸晶圆/8英寸直径内,厚度20mm的基体
  • 衬底温度 :室温-400℃
  • 控制精度:±1℃
  • 前驱体输送系统 :4路独立管线
  • Al2O3沉积速率:0.26nm/cy
  • 镀膜均匀性 :不均匀性优于±1%