原子层沉积系统
ALD
全自动进样设计，可容纳8英寸基片。优化的辐射加热系统，使温度均匀性高达99%，气流优化设计结合前驱体瓶加热，管路加热，不仅实现在8英寸基体上膜厚的不均匀性＜±1%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现微纳深孔内部的均匀沉积，是先进电池材料、催化剂材料、半导体器件研究与应用的最佳仪器。
原子层沉积系统ALD
技术参数
- 腔室真空度：≤ 5 Pa
- 真空系统：抽速14L/S，从大气抽至5Pa，≤15分钟
- 衬底尺寸：8英寸晶圆/8英寸直径内，厚度20mm的基体
- 衬底温度 ：室温-400℃
- 控制精度：±1℃
- 前驱体输送系统 ：4路独立管线
- Al2O3沉积速率:0.26nm/cy
- 镀膜均匀性 ：不均匀性优于±1%
